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场效应管的主要参数
来源:本站整理  作者:佚名  2009-12-08 14:45:35



  (1)最大漏极电流IDM:是允许连续运行的最大漏极电流;(2)击穿电压UDS:在截止状态下,漏极与源极之间的最大维持电压;(3)导通电阻RON:是MOSFET在饱和导通时,D-S间的电阻值。RON具有正温度系数,即电流越大,RON的值也因温度的升高而增大。

  所以,VM具有自动抑制电流的能力;(4)阀值电压Ucs:能够使MOSFET导通的最低栅极电压。实际新澳门银河官网时,所需栅极电压应为UGS的1.5~2.5倍。在多数情况下,栅极电压都设计为15V;(5)开关频率:MOSFET的开关频率比GTR高1~2个数量级,最高可达500 kHz以上。

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